技术特点
【技术特点】-- Jenoptik业纳半导体激光器巴条 单管芯片
波长:792nm, 808nm, 830nm, 880nm, 915nm, 940nm, 980nm, 1060nm,
腔长:0.6mm, 1.0mm, 1.5mm, 2.0mm, 3.5mm
填充因子:20%, 30%, 50%, 75%。
zei大单个巴条的输出连续功率为160W,zei大脉冲功率达到300W
产品型号命名规则:
JDL-BAB-20-19-808-TE-50-1.5 19:发光点个数
JDL:生产厂家:JENOPTIK Diode Lab GmbH 808:波长
BAR:表示裸巴 TE:发光偏振模式
20:填充因子 50:输出功率
1.5:腔长
【技术特点对用户带来的好处】-- Jenoptik业纳半导体激光器巴条 单管芯片
【典型应用举例】-- Jenoptik业纳半导体激光器巴条 单管芯片
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