技术参数： 

EVO® MA & LS系列基本规格分辨率3.0 nm(2nm) @ 30 kV SE和W（LaB6）4.5 nm      @ 30 kV BSD（VP模式）15nm       @ 30 kV 1nA, LaB620nm(15nm) @   1kV SE和W（LaB6）10nm       @   3kV SE加速电压0.2 - 30 kV 放大倍数﹤7 - 1,000,000 x / ﹤5 - 1,000,000 x X射线参数工作距离8.5 mm / 出射角35° OptiBeam®模式分辨率（Resolution）、景深（Depth）、分析（Analysis）、大视野（Field）、鱼眼（Fisheye）压力范围10 - 400 Pa（MA系列）10 - 3000 Pa（LS系列）可以使用的探测器BSD －背散射电子探测器,多象限二极管ETSE－Everhart-Thornley 二次电子探测器VPSE－可变压力二次电子探测器SCD －样品电流探测器 EPSE－延伸可变压力二次电子探测器图象处理7种积分和平均模式 系统控制基于Windows® XP的SmartSEM™