3.

技术参数：

3-1

测试范围：

Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数

3-2

磁场：

3-2-1

磁场强度：

0.5T

3-2-2

磁场类型：

电磁体

3-2-3

磁场均匀性：

磁场不均匀性＜±1 %

10年内磁场变化＜±0.2%

3-3

温    度：

3-3-1

温度区域：

77K和300K

3-4

电阻率范围：

1 μ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm

3-5

电阻范围：

0.1 m Ohms ~10 G Ohms

3-6

载流子浓度：

10⁷~10²¹cm^-3

3-7

迁移率：

10^-2~10⁷ cm²/volt*sec

3-8

输入电流：

3-8-1

电流范围：

1000 pA~10mA

3-8-2

电流解析度：

1 pA (lowest range)

3-8-3

电流精度：

2%

3-9

输入电压：

3-9-1

电压范围：

±10V

3-9-2

电压分辨率：

1μV