技术特点
【技术特点】-- 1200℃单/双温区CVD系统
CVD管式炉的特点：
1 CVD石墨烯炉兼容、常压、微正压多种主流的生长模式
2 CVD石墨烯炉可以在1000Pa-0.1Pa之间任意气压下进行石墨烯的生长
3 CVD石墨烯炉使用计算机控制，可以设置多种生长参数
4 CVD石墨烯炉可以制备高质量，大面积石墨烯等碳材料，尺寸可达数厘米，研究动力学过程
5 CVD石墨烯炉沉积效率高；薄膜的成分精确可控，配比范围大；厚度范围广，由几百埃至数毫米，可以实现厚膜沉积且能大量生产
【技术特点对用户带来的好处】-- 1200℃单/双温区CVD系统
【典型应用举例】-- 1200℃单/双温区CVD系统
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