| 分辨率 | 标准模式 In-Beam SE 0.7 nm at 15 keV 1.4 nm at 1 keV In-Beam f-BSE (option) 1.6 nm at 15 keV Low Vacuum Mode: BSE (UH RESOLUTION) 2.0 nm at 30 keV LVSTD (ANALYSIS) 3.0 nm at 30 keV | Beam Deceleration mode (option): SE (BDM) 1.0 nm at 1 keV 1.2 nm at 200 eV STEM mode (option): 0.6 nm at 30 keV |
| zei大视场 | 4.3 mm at WD 分析5 mm 7.0 mm at WD 30 mm | |
| 电子束能量 | 200 eV to 30 keV / down to 50 eV with the BDT option | |
| 探针电流 | 2 pA to 400 nA |
（离子光学系统）视野范围：1 mm
（离子光学系统）探针电流：＜1 pA ~ 100 nA
（离子光学系统）分辨率：＜2.5 nm @ 30 keV
（离子光学系统）发射源：镓液态金属离子源
（电子光学系统）视野范围：7.0 mm @ WD=30 mm
（电子光学系统）探针电流：~ 400 nA
（电子光学系统）分辨率：0.7 nm @ 15 kV
(电子光学系统）发射源：肖特基场发射源
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