【技术特点】-- OXFORD C-Swift EBSD

高速型C-Swift EBSD探测器——基于CMOS技术，跨时代的又一力作  
2018年7月16日

C-Swift EBSD是牛津仪器zei新发布的基于CMOS技术的高速型EBSD探测器。它继承了CMOS EBSD高灵敏度和高速度的优点，用来替换基于CCD技术的高速型EBSD Nordlys Max3，具有很高的性价比。

C-Swift的采集速度能达到1000点/秒，同时花样能达到156x128像素的分辨率。在如此高速条件下，依然保持较高的花样清晰度（相当于CCD EBSD常用的160x120像素分辨率），使得C-Swift对实际样品的采集速度相比基于CCD技术的快速型EBSD大大提高。在全分辨率的622x512像素条件下，采集速度能达到250点/秒，这样也能满足高精度EBSD的应用需求，同时采集速度也能很快。

C-Swift继承了Symmetry探测器的很多优秀设计：锥形的前端避免遮挡其他探测器；能配5个FSD探测器；超级高效率的光学系统具有很低的图像畸变，每个探测器在出厂检测时图像畸变小于一个像素；具有非接触式碰撞探测，能在碰撞发生之前报警规避，这将增加操作者的信心。

C-Swift可以用于所有的EBSD应用，尤其适合分析常规金属和合金、常规矿物和氧化物、变形态的金属和合金、TKD实验、晶界工程研究、原位应用、3D-EBSD应用等。

C-Swift在高速条件下，采集的花样相比CCD EBSD更清晰，如下图所示的。对于CCD EBSD来讲，采集速度要达到1000点/秒，需要用到较大的像素合并，然而，合并之后80x60像素的花样清晰度变差，很难达到实际应用的需求。而对于C-Swift来讲，1000点/秒速度条件下，156x128像素的花样清晰度足够满足EBSD标定和采集面分布图的需求，非常适合实际样品的数据采集。

图一 1000点/秒速度条件下，对比基于CCD和CMOS技术的花样

C-Swift在实际样品上的表现相当不错。我们先看一个Ti64合金的EBSD面分布图例子。它的实际采集速度达到972点/秒，标定率达到98%。在20kV条件下，采用100nm的步长，采集面积为215.2x161.3mm2，总计约345万像素，采集时间不到1小时。

图二  Ti64合金的IPF面分布图，感谢Materials Consult, UK提供样品

对于通常比较难做的马氏体钢，C-Swift也有很好的表现。这个马氏体钢的EBSD面分布图采集速度达到了972点/秒，标定率优于92%，步长32nm。整个采集时间为1小时23分钟，面分布图共采集了2432x1962、约487万个像素。马氏体由于晶体结构本身的原因，花样质量较差 ，实际采集一般很难做到高速。C-Swift的实际采集速度能达到接近1000点/秒，性能表现非常优秀。

图三  马氏体钢的EBSD面分布图

C-Swift还能应对高角度分辨率的应用需求。通常Al合金变形之后时效会形成位错胞结构，将原来的晶粒分割为亚晶，而亚晶与亚晶之间的取向差很小。C-Swift全分辨率的花样可达到622x512像素，此时EBSD面分布图的取向精度能达到优于0.1度。在这个Al合金样品上，采集速度达到90点/秒，步长为250nm，标定率达到99.9%。实际采集的一幅花样如图所示，非常清晰，这就保证了高精度的EBSD解析。因为面分布图的角度精度很高，所以其中形成的位错胞结构也清晰可见。

样品采集速度速度为1000 pps

采集分辨率622 x 512像素，250 pps

低能量和低电流分析的同时保证极高灵敏度

图像不失真

【技术特点对用户带来的好处】-- OXFORD C-Swift EBSD

【典型应用举例】-- OXFORD C-Swift EBSD