200–900 nm
SPM A/D 分辨率 | 16 位 |
---|---|
SPM 信噪比 | 250:1(满信号) |
SPM 像素 | 2048 |
SPM 像素井深 | 62500 电子 |
SPM 像素大小 | 14 µm x 200 µm |
SPM 光学分辨率 | 0.3+10.0 nm FWHM |
SPM 动态范围 | 8.5 x 10 调至 7(系统);1300:1 针对单次采集 |
SPM 暗噪声 | 50 RMS counts |
SPM 杂散光 | 600 nm 处 ≤ 0.05 %;435 nm 处 < 0.10% |
SPM 波长范围 | 200-900 nm |
SPM 积分时间 | 1 ms 至 65 秒 |
仪器重量(公斤) | 1.95 |
光源(LS)波长范围 | 215-400 nm(氘气);360-2500 nm(卤钨灯) |
光源光纤连接器 | SMA 905 |
光源灯泡寿命 | >1000 小时 @ 240 nm(时间);<50% @ 240 nm(强度降低);连续运行(测试条件) |
光源点火延迟 | <2.0 秒(冷启动延迟可能会更长) |
光源稳定性 | 30 分钟预热后 1.0% 峰-峰(超过 4 小时) |
光谱仪(SPM)检测器 | 线性硅 CCD 阵列 |
多通道仪器 | 否 |
尺寸 mm(宽/高/厚) | 24 x 11 x 25 |
工作电极共享辅助电极和参比电极最大数量 | 2 |
操作模式 | 双恒电位仪;恒电位仪;恒电流仪 |
最大电流(安培) | ±40 mA |
最大通道数 | 1 |
测得电位分辨率 | 0.012 % 电位范围 |
测得电流分辨率 | 0.025 % 电流范围 |
电位分辨率 | 1 mV |
电位精度 | ±0.2% |
电位范围(伏特) | ±4V |
电位范围数量(恒电流) | 2 |
电位范围数量注释(恒电流) | ±100 mV 至 ±1 V |
电流分辨率 | 0.1% 电流输出范围 |
电流精度 | 100 nA 至 10 mA 时 ≤0.5 % 电流范围 |
电流范围数量 | 8 |
电流范围数量注释 | ±1 nA 至 ±10 mA |
电源 | 12 V DC |
至光源稳定输出的时间 | 10 分钟(氘气);1 分钟(卤钨灯) |
计算机接口 | USB |
350–1050 nm
SPM A/D 分辨率 | 16 位 |
---|---|
SPM 信噪比 | 250:1(满信号) |
SPM 像素 | 2048 |
SPM 像素井深 | 62500 电子 |
SPM 像素大小 | 14 µm x 200 µm |
SPM 光学分辨率 | 0.3+10.0 nm FWHM |
SPM 动态范围 | 8.5 x 10 调至 7(系统);1300:1 针对单次采集 |
SPM 暗噪声 | 50 RMS counts |
SPM 杂散光 | 600 nm 处,≤0.05 %;435 nm 处,<0.10 % |
SPM 波长范围 | 350-1050 nm |
SPM 积分时间 | 1 ms 至 65 秒 |
仪器重量(公斤) | 1.95 |
光源(LS)波长范围 | 215-400 nm(氘气);360-2500 nm(卤钨灯) |
光源光纤连接器 | SMA 905 |
光源灯泡寿命 | >1000 小时 @ 240 nm(时间);< 50% @ 240 nm(强度降低);连续运行(测试条件) |
光源点火延迟 | <2.0 秒(冷启动延迟可能会更长) |
光源稳定性 | 30 分钟预热后 1.0% 峰-峰(超过 4 小时) |
光谱仪(SPM)检测器 | 线性硅 CCD 阵列 |
多通道仪器 | 否 |
尺寸 mm(宽/高/厚) | 24 x 11 x 25 |
工作电极共享辅助电极和参比电极最大数量 | 2 |
操作模式 | 双恒电位仪;恒电位仪;恒电流仪 |
最大电流(安培) | ±40 mA |
最大通道数 | 1 |
测得电位分辨率 | 0.012 % 电位范围 |
测得电流分辨率 | 0.025 % 电流范围 |
电位分辨率 | 1 mV |
电位精度 | ±0.2% |
电位范围(伏特) | ±4V |
电位范围数量(恒电流) | 2 |
电位范围数量注释(恒电流) | ±100 mV 至 ±1 V |
电流分辨率 | 0.1% 电流输出范围 |
电流精度 | 100 nA 至 10 mA 时 ≤0.5 % 电流范围 |
电流范围数量 | 8 |
电流范围数量注释 | ±1 nA 至 ±10 mA |
电源 | 12 V DC |
至光源稳定输出的时间 | 10 分钟(氘气);1 分钟(卤钨灯) |
计算机接口 | USB |
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