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UVISEL Plus椭偏仪

tel: 400-6699-117 6216

堀场HORIBA椭偏仪, 该设备配备了尖端的FastAcq采集技术,利用新的电子数据处理和高速单色仪,可以在三分钟内完成190到2100nm范围内......

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UVISEL Specifications

  • Spectral range: from 190 to 920 nm │NIR extension option up to 2100 nm

  • Detection: High resolution monochromator coupled to sensitive detectors

 

Manual Configuration

  • Spot size: 0.05 – 0.1 – 1 mm (pinhole)

  • Sample stage: 150 mm, manual height (20mm) and tilt adjustment

  • Goniometer: Manually adjustable angle from 55° to 90° by step of 5°

 

Automatic Configuration

  • Manual or automated spot size: 0.05 - 0.1 - 1 mm or 0.08 - 0.12 - 0.25 - 1.2 mm (pinhole)

  • Automation sample stage: 200x200mm, 300x300 mm XY sample stage, manual height (4mm) and tilt adjustment, XYZ sample stage, theta stage

  • Automatic goniometer: Automatically adjustable angle from 45° to 90° by step of 0.01°

 

Integrated Goniometer

  • Manual angle of incidence: 35° to 90° by 5° step

  • Sample holder: 150mm, 20mm manual z height adjustment

  • Autocollimation system for sample alignment in option

  • Dimension: width: 25cm; height: 35cm; depth: 21 cm

 

In situ configuration

  • Mechanical adaptation: CF35 or KF40 flanges

  • Easy swith between in-situ and ex-situ configurations

  • More information

 

Options

  • Accessories: temperature controlled cell, liquid cell, electrochemical cell, reflectometry module to measure reflectance at 0° incidence, and more

  • Vision: CCD camera

  • More information

 

Performance

  •  Accuracy: Ψ= 45°±0.01° and Δ=0°±0.01° measured in straight-through air configuration1.5 – 5.3 eV

  • Repeatability: NIST 1000Å SiO2/Si (190-2100 nm): d ± 0.1 % – n(632.8nm) ± 0.0001


参考招标参数:

吉    林    大    学

椭偏仪采购项目

竞争性磋商文件

项目编号:JLU-ZC19091号


椭偏仪

数量    1

 

一、设备基本要求及相关描述

椭偏测量是一种用于薄膜厚度测量的光学技术。由于能够无损表征硅基,玻璃基底等多种基底上生长多层薄膜堆叠特性,椭圆偏振光谱仪已成为薄膜研究中的强大工具。椭偏测量技术是基于对样品表面反射光偏振改变的测量,椭偏法可以精确地推导出薄膜厚度和光学特性(折射率和吸收系数)。光谱测量允许同时确定多个参数,例如多层膜厚度和薄膜堆叠组分。

此次拟购的椭偏仪为全自动高灵敏度光谱型椭偏仪,采用光电调制技术(相调制技术),具有高灵敏度、高精确度、高重复性、反射式微光斑以及快速全谱测量等特点。

二、技术要求

1. 技术要求

1.1 光谱范围覆盖190– 920nm

1.2 测量范围:Psi= 0°~90°,Delta= 0°~360°

1.3 测量精度:直射测量空气Psi = 45°Ψ≤45°±0.02°, Delta = 0°Δ≤0°±0.02°

1.4 测量重复性:80-100nm SiO2/Si样品,30次测量标准偏差1δ

1.5 测量膜厚范围1A-40um,误差 d≤±0.4Å

1.6 测量时间:全光谱1-3分钟

1.7 样品为透明基底

2. 主要配置及其技术指标

2.1 激发头

2.1.1 光源配有监测灯寿命的计时器75 W氙灯

2.1.2 斩波器,用于调制和背景扣除

2.1.3 MgF2 偏振片。

2.2 探测头

2.2.1光弹晶体调制,频率≥50kHz,恒温控制

2.2.2 Rochon 偏振片。

2.3 探测系统

2.3.1 双级相加光谱仪,2次分光抑制杂散光

2.3.2 高杂散光抑制比,紫外0,5% @190nm

2.3.3 光谱分辨率0.15nm。

2.3.4 狭缝连续可调

2.3.5 光电倍增管PMT探测器

2.3.6 自动量角器,角度可从40°~90°变化,最小步进为0.01°

2.4 样品台:最大可放置6英寸样品,Z移动范围0-20mm。

3. 计算机和软件

3.1 品牌主机,配备激光打印机

3.2 Windows下光谱专业软件包主要包含软件配置色散公式,材料模型,仪器控制,数据采集、计算和处理等各项功能。

三、配置要求

配置描述

数量

椭偏仪主机

1

自动量角器

1

样品台

1

消色差微光斑

1

液体样品池,Peek材质

1

棱镜液体样品池

1

品牌电脑

1

激光打印机

1

四、其他要求

1. 质保期内,任何由制造商选材和制造不当引起的质量问题,制造商负责免费维修。质保期内内的服务由国内服务机构免费负责,接到用户通知后8小时内响应,维修人员尽快到达现场进行服务。保修期后,制造商提供终身维修和长期免费技术咨询服务。

2. 制造商在中国国内设有办事处,提供技术支持和售后服务。制造商在中国国内设有产品应用中心,为用户提供免费建模服务。


厂家资料

地址:上海市天山西路1068号联强国际广场A栋1层D单元

电话:400-6699-117 转 6216

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