技术特点
【技术特点】-- 日立双束(三束)聚焦离子束系统NX2000
追求最完美的TEM样品制备工具
在尖端设备及高性能纳米材料的评价和分析领域,FIB-SEM已成为不可或缺的工具。
近来,目标观察物更趋微细化;更薄,更低损伤样品的制备需求更进一步凸显。
日立高新公司,整合了高性能FIB技术和高分辨SEM技术,再加上加工方向控制技术以及Triple Beam®*1(选配)技术,推出了新一代产品NX2000
特点
运用高对比度,实时SEM观察和加工终点检测功能,可制备厚度小于20 nm的超薄样品
FIB加工时的实时SEM观察*2例
样品:NAND闪存
加速电压:1 kV
FOV:0.6 µm
加工方向控制技术(Micro-sampling®*3系统(选配)+高精度/高速样品台*)对于抑制窗帘效应的产生,以及制作厚度均一的薄膜类样品给予厚望。
加工方向控制
常规加工时
Triple Beam®*1(选配)可提高加工效率,并能使消除FIB损伤自动化
EB:Electron Beam(电子束)
FIB:Focused Ion Beam(聚焦离子束)
Ar:Ar ion beam(Ar离子束)
选配件
Ar/Xe离子束系统
Micro-sampling®*3系统
缺陷检测设备联用软件
CAD联用导航软件
EDS(能谱仪)
TEM样品精加工向导
TEM样品厚度管理软件
连续A-TEM
实时画质优化系统
Swing加工功能(用于Triple Beam®*1)
等离子清洗机
真空转移机构
冷台
规格
项目 | 内容 |
FIB镜筒 | |
分辨率 | 4 nm @ 30 kV、60 nm @ 2 kV |
加速电压 | 0.5~30 kV |
束流 | 0.05 pA ~ 100 nA |
FE-SEM镜筒 | |
分辨率 | 2.8 nm @ 5 kV、3.5 nm @ 1 kV |
加速电压 | 0.5~30 kV |
电子枪 | 冷场场发射型 |
探测器 | |
標準検出器 | In-lens 二次电子探测器/样品室二次电子探测器/背散射电子探测器 |
样品台 | X:0 ~ 205 mm |
Y:0 ~ 205 mm | |
Z:0 ~ 10 mm | |
R:0 ~ 360°连续 | |
T:-5 ~ 60° |
【技术特点对用户带来的好处】-- 日立双束(三束)聚焦离子束系统NX2000
【典型应用举例】-- 日立双束(三束)聚焦离子束系统NX2000
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