X射线探测器

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昊量光电X射线探测装置, X射线探测器以热电冷却的Si-Pin光电二极管作为X射线探测元器件。......

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XR-100系列探测器型号	探测器材料	探测器面积	探测器厚度	铍(Be)窗厚度	备注
XY-FSG32MD-G3SP	Si-PIN	6 mm2	500 μm	1 mil	有内置准直器
XY-FS432MD-G3SP	Si-PIN	13mm2	500 μm	1 mil	有内置准直器
XY-FSJ32MD-G3SP	Si-PIN	25mm2	500 μm	1 mil	有内置准直器
XY-FSG32MD-G2SP	Si-PIN	6mm2	500 μm	0.5mil	有内置准直器
XY-GSH3AMD-G2SP	SDD	25mm2	500 μm	0.5mil	有内置准直器
XY-GSH3AMD-E1SP	SDD	25mm2	500 μm	0.3mil	有内置准直器
XY-GSH3AMD-UOEA	SDD	25mm2	500 μm	C1 Window	有内置准直器
XY-GSH3AMD-E6EA	SDD	25mm2	500 μm	C2 Window	有内置准直器
XY-HSH3AMD-G2S	FAST SDD	25mm2	500 μm	0.5mil	有内置准直器
XY-HSH3AMD-G1S	FAST SDD	25mm2	500 μm	0.3mil	有内置准直器
XY-HSH3AMD-U0EA	FAST SDD	25mm2	500 μm	C1 Window	有内置准直器
XY-HSH3AMD-E6EA	FAST SDD	25mm2	500 μm	C2 Window	有内置准直器

** Silicon Drift Detector (SDD) uses a junction gate field-effect transistor (JFET) inside the hermetically sealed TO-8 package, along with an external preamplifier. FAST SDD uses a complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) preamplifier inside the TO-8 package, and replaces the JFET with a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET).