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VGF法生长GaAs

tel: 400-6699-117 1000

合肥科晶其它, 1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒

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产品名称:

VGF生长法 GaAs(进口料GaAs single crystal wafer, PRIME Grade)

常规尺寸:

dia 2“ x 0.5mm;单抛

 

技术参数:

生长方法:VGF法GaAs晶向:<100> 2 degree OFF Toward <101>±0.5 deg产品尺寸:dia2“ x 0.5mm掺杂类型:N型掺Te载流子浓度:(0.15-2.6) E18 /cm^3迁移率:2700~3600 cm^2/V.S电阻率:9E-4~1.1E-2 ohm-cmEPD:<8000/cm^2

 

标准包装:

1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒



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