4H-SiC上镀4H-SiC薄膜

常规尺寸：

dia4“ ±0.5 mm  x 0.525 ±0.025 mm 

技术参数：

4H-SiC薄膜晶向：<0001>

4H-SiC薄膜厚度（film target thickness)：4.3um ±10%

4H-SiC薄膜厚度（film target doping layer) ：1.4E17/cc +0% /- 30%

载流子浓度：(3~ 10)E16 /cc

导电类型：P型

抛光情况：双面抛光

4H-SiC基片晶向:<0001>miscut 8.0 +/- 0.5 degree,parallel（10-10）；OF length: 15.9 +/- 1.7 mm

4H-SiC基片尺寸： dia 2 inch x330±25unIF orientation :90 degree cw. from OF +/- 5 degreeIF length:8.0 +/- 1.7 mm

4H-SiC基片电阻率:< 0.03 ohm-cm

4H-SiC抛光：Si面CMP单抛边缘排除：1mm

标准包装：

1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装