氮化铝(AlN)薄膜

产品简介：

AllN Epitxial范本saphhire提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。氮化铝薄膜又是成本效益的方法，用来取代氮化铝单晶衬底。科晶真诚欢迎您的垂询！

技术参数：

尺寸 dia50.8mm±1mm蓝宝石衬底取向 c轴（0001)±1.0deg

衬底： Al2O3;SiC;GaN

薄膜厚度：10-5000nm

导电类型： 半绝缘型位错密度：XRD FWHM of <0002><500arcsec;XRD FWHM of <10-12><1500arcsec;有效面积：>80%

抛光：单抛光

  产品规格：

氮化铝(蓝宝石衬底)：dia2“*1500nm±10%

注：可根据客户需求定制特殊的方向和尺寸。

标准包装：

1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装