磁光克尔(MOKE)效应测量系统

产品特点

微区域测量系统可满足纵向/极向测量

极向微区域克尔测量装置，具有高灵敏度

微区域测量系统可满足纵向/极向测量，具有较高的灵敏度

极向磁光克尔效应测量，对PMR薄膜晶圆的磁特性测量

纵向磁光克尔测量系统，可进行多点磁滞回线的测量

激光光源

半导体激光器（405nm）  

半导体激光器（408nm）

半导体激光器（405nm）

光斑直径

纵向测量

约 5mm [1/e²]

1-2mm

2-3mm

1mm

1′2mm

极向测量

约 2mm [1/e²]

探测灵敏度

± 0.005°

±0.001°

±0.001°

± 0.005°

± 0.005°

探测范围

± 1°

外加磁场强度

极向磁体

    >±10kOe

>±10kOe

极向磁场

>±1.5T

>±25kOe

>±0.2T

面内磁场

>±10kOe

面内磁场

>±1T

可测样品大小

5′5′1tmm~10′10′1tmm

5′5~10′10mm

t：0.5~1mm  

12inch wafer

12inch wafer