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技术特点
【技术特点】-- InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜
产品名称： | InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜（dia3”InP/InGaAs/InP EPI on InP <100>)
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产品参数： | 薄膜生长方法：MOCVD deposition 基底参数：N型掺S, InP:S [100]±0.5°, Nc=~5E18/cc 薄膜InP：1um 厚；N型掺Si；Nc=~5E15/cc 薄膜In0.53Ga0.47As：3.0±0.5μm 厚； N型不掺杂, Nc=1E15-1E16/cc 薄膜InP(top)：1um thick InP film, N型掺Si, Nc=1E15-1E16/cc
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常规尺寸： | dia3” x650±25um
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标准包装： | 1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒装 |
【技术特点对用户带来的好处】-- InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜
【典型应用举例】-- InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜
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