常规尺寸：

 dia100;单抛

技术参数：

Si晶向：<100>

Si掺杂类型：本征；不掺杂

Si厚度：0.6um +/- 0.06 um 

Si电阻率：> 100 ohm.cm

Al2O3基片：R plane with single flat

Al2O3尺寸：dia100 x 0.53 mm 

平面度（flatness）：10um

平行性（Parallelism)：20um

抛光情况：单抛Projected C-Axis: 45 degree +/- 2 degree

备注：可按照客户要求在C plane Al2O3上镀Si