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InP上镀InGaAs薄膜

tel: 400-6699-117 1000

合肥科晶其它物性测试仪器, 1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装 ......

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技术特点
【技术特点】-- InP上镀InGaAs薄膜

产品名称:

InP上镀InGaAs薄膜(进口料Epi:?Lattice?matched?p-type?InGaAs:Zn)

常规尺寸:

dia 2“ ;单抛

标准包装:

技术参数:

1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装  

InP晶向:

<100>±0.5°with one flat 

InP掺杂类型:

不掺杂

InP尺寸:

dia 2inch x 0.35mm ±25um

Nc:

< 1E16/cc

EPD:

<1E4

薄膜参数:

In/Ga alloy layer of P type InGaAs:Zn(100), Nc=1E17 -1E18/cc.

薄膜厚度:

1.0 um (+/- 5%)

抛光情况:

单抛

表面粗擦度:

Roughness of epi-layer is close to 1 mono-layer (ML)



【技术特点对用户带来的好处】-- InP上镀InGaAs薄膜


【典型应用举例】-- InP上镀InGaAs薄膜


厂家资料

地址:安徽省合肥市科学院路10号

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