技术特点
【技术特点】-- InP上镀InGaAs薄膜
产品名称: | InP上镀InGaAs薄膜(进口料Epi:?Lattice?matched?p-type?InGaAs:Zn) |
常规尺寸: | dia 2“ ;单抛 |
标准包装: 技术参数: | 1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒装 |
InP晶向: | <100>±0.5°with one flat |
InP掺杂类型: | 不掺杂 |
InP尺寸: | dia 2inch x 0.35mm ±25um |
Nc: | < 1E16/cc |
EPD: | <1E4 |
薄膜参数: | In/Ga alloy layer of P type InGaAs:Zn(100), Nc=1E17 -1E18/cc. |
薄膜厚度: | 1.0 um (+/- 5%) |
抛光情况: | 单抛 |
表面粗擦度: | Roughness of epi-layer is close to 1 mono-layer (ML) |
【技术特点对用户带来的好处】-- InP上镀InGaAs薄膜
【典型应用举例】-- InP上镀InGaAs薄膜
请扫描二维码查看详细参数
经销商
除厂家/中国总经销商外,我们找不到
InP上镀InGaAs薄膜 的一般经销商信息,有可能该产品在中国没有其它经销商。
如果您是,请告诉我们,我们的邮件地址是:sales@antpedia.net 请说明: 1.产品名称 2.公司介绍 3.联系方式 |
其它物性测试仪器
售后服务
我会维修/培训/做方法
如果您是一名工程师或者专业维修科学 仪器的服务商,都可参与登记,我们的平台 会为您的服务精确的定位并展示。