技术特点
【技术特点】-- Si+Si3N4薄膜
产品名称： | Si+Si3N4薄膜(进口料Silicon Nitride Film (PE-CVD) on Front Polished Side of Silicom Wafer P type doped B） |
常规尺寸： | dia 4“ +/- 0.5 mm x 0.525 +/- 0.025 mm |
标准包装：
技术参数：
| 1000级超净室100级超净袋真空包装、单片盒或插盒 |
Si参数：
| 晶向：<100>±0.5°； |
掺杂类型：P型掺B； | |
电阻率:<0.02 ohm-cm； | |
抛光：单抛； | |
Si3N4参数：
| 生长方法：low stress PE-CVD method |
薄膜厚度：100nm +/- 8% | |
镀膜情况：Si3N4 covers front polished side of Silicon wafer ONLY |
【技术特点对用户带来的好处】-- Si+Si3N4薄膜
【典型应用举例】-- Si+Si3N4薄膜
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