技术特点
【技术特点】-- Al2O3镀GaN薄膜
产品名称： | Al2O3镀GaN薄膜（进口Si-doped?GaN?(0001)?Epitaxial?Template?on?Sapphire?N+type) |
技术参数： | GaN类型：N 型掺SiGaN 薄膜厚度：<0001> 5um ±1umGaN 电阻率：<0.02 Ohm-cmGaN 载体浓度Carrier concentration：5x10^17-1x10^19/cc 正面 Front surface：Ga-faceAl2O3 参数：<0001> miscut: 0.3 deg +/- 0.1 deg toward M plane，单抛
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产品尺寸： | dia 4inch +/- 0.25mm |
标准包装： | 1000级超净室100级超净袋真空包装或单片盒 |
【技术特点对用户带来的好处】-- Al2O3镀GaN薄膜
【典型应用举例】-- Al2O3镀GaN薄膜
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