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SOI基片(Si+SiO2+Si)

tel: 400-6699-117 1000

合肥科晶石英晶体天平, dia4" 镀膜层:20um Si P/B + 2umSiO2+500um Si undoped ......

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产品名称:

SOI基片(Si+SiO2+Si)

常规尺寸:

dia4“ 镀膜层:20um Si P/B + 2umSiO2+500um Si undoped

 

技术参数:

国产SOI:膜层厚度可以按照客户需求加工①顶层2um±0.5(5点), BOX层2um±0.1 ,  P型,总厚度大约621um, 平整度LTV < 1um②顶层3um±0.5(5点), BOX层2um±0.1,P型,总厚度大约622um, 平整度LTV < 1um电阻率ΩNaN:15-25 ohmNaN;进口SOI:点击查看:http://mtixtl.com/soiwafersilicononinsulator.aspx

 

常规尺寸:

  SOIφ4″<100>/<110>镀0.375umSiO2层镀0.2umSi层-1spSOIφ4″<100>/<110>镀0.375umSiO2层镀1umSi层-1spSOIφ6″<100>/<110>镀0.375umSiO2层镀1umSi层-1spSOIφ6″-<100>镀0.375umSiO2层镀0.1umSi层-1sp SOIφ6″-<100>镀3umSiO2层镀220nmSi层-1sp

 


厂家资料

地址:安徽省合肥市科学院路10号

电话:400-6699-117 转 1000

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