PHYS TECH GmbH RH2035 霍尔效应测试仪器
| 3. | 技术参数： | |
| 3-1 | 测试范围： | Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数 |
| 3-2 | 磁场： | |
| 3-2-1 | 磁场强度： | 0.45T 永磁体 |
| 3-2-2 | 磁场类型： | 永磁体 |
| 3-2-3 | 磁场均匀性： | 磁场不均匀性＜±1 % 10年内磁场变化＜±0.2% |
| 3-3 | 温 度： | |
| 3-3-1 | 温度区域： | 77K(液氮温度)或室温 |
| 3-4 | 电阻率范围： | 1 µ Ohm*cm ~10 M Ohm*cm |
| 3-5 | 电阻范围： | 0.1 m Ohms ~10 G Ohms |
| 3-6 | 载流子浓度： | 107~1021cm-3 |
| 3-7 | 迁移率： | 10-2~107 cm2/volt*sec |
| 3-8 | 输入电流： | |
| 3-8-1 | 电流范围： | 1000 pA~10mA |
| 3-8-2 | 电流解析度： | 2.5 pA (lowest range) |
| 3-8-3 | 电流精度： | 2% |
| 3-9 | 输入电压： | |
| 3-9-1 | 电压范围： | ±10V |
| 3-9-2 | 电压分辨率： | 1μV |
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