倒角

0.005” ± 0.003”@45°

滚光

55±5 μinches

垂直度

within 5 arc minutes

平行度

30 arc-seconds or less

端面面型

within λ/10 wave at 632 nm wavelength

表面光洁度

10-5 scratch-dig per MIL-O-13830

波前畸变

less than 1/2 wave per inch of

length(measured at 1 micron)

端面镀膜

Single-layer MgF2

Single wavelength and broad band

anti-reflection coatings available

Cr 掺杂

Reflection standard range: 0.10--0.17 @ %

Special order: 0.10 or 0.17-0.20 @ %

optimum chrome concentration: 0.83/d @ % (diameter in mm)

晶格

Orthorhombic

晶格尺寸

a=5.476 ? per ASTM 10-32

b=9.404 ?

c=4.427 ?

X-射线密度

3.7g/cm³

熔点

1870 °C

热膨胀

||a 5.9 x 10^-6 K^-1

||b 6.1 x 10^-6 K^-1

||c 6.7 x 10^-6K ^-1

热导率

0.23 W/cmK

硬度（Vickers）

2000 kg mm^-2

杨氏模量

469 GPa

断裂应力

0.457-0.948 GPa

抗热冲击性能

35-74W/cm

铬离子浓度 (0.1 @ %)

3.51x10cm^-3

折射率(750 nm) (双轴)

E ||a = 1.7367

E ||b = 1.7421

E ||c = 1.7346

掺杂位置对称性

78% mirror (laser active)

22% inversion

非线性折射率，n₂

~10^-13 esu

Findlay-Clay 插入损耗

<0.3% cm^-1

折射率温度变化

8x10^-6 K^-1