主要技术参数:
探测器类型 Silicon (TIA-525S) InGaAs (TIA-525I) InGaAs InGaAs InGaAs InGaAs APD
波长 400 -1000 nm 850 - 1700 nm 900 - 1700 nm 900 - 1700 nm 900 - 1700 nm 950 - 1650 nm
带宽 ((-3
dB)50Ω) DC - 125 MHz gain 1.0 DC - 35 MHz gain 10 DC - 800 MHz gain 1.0
DC - 300 MHz gain 5.0 12GHz (min.) 14 GHz (typical) 100KHz~8.5GHz (min)
100 KHz~10 GHz (typ) 30 KHz~7 GHz (typ)
放大增益 1.0 和 10.0 1.0 和 5.0 不带放大 不带放大 不带放大
最大线性输入功率 1.2 mW 2 mW 3 mW 2 mW 1.0 mW Max
最大输入功率 (损伤阈值) 10 mW 15 mW 10 mW 10 mW 10 mW
输入接口 ST, FC 或 自由空间光 FC 或 ST FC 或FC/APC FC 或FC/APC FC 或 FC/APC
输出接口 Male BNC Male BNC SMA Type K Female SMA TypeKFemale SMA Type K Female
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