FT-SD10 四探针方阻电阻率测试仪

四探针方阻电阻率测试仪

1.覆盖膜;导电高分子膜，高、低温电热膜;隔热、防辐射导电窗膜 导电(屏蔽)布、装饰膜、装饰纸;金属化标签、合金类箔膜;熔炼、烧结、溅射、涂覆、涂布层，电阻式、电容式触屏薄膜;电极涂料，其他半导体材料、薄膜材料方阻测试

2.硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶等材料方块电阻  半导体材料/晶圆、太阳能电池、电子元器件，导电薄膜（ITO导电膜玻璃等），金属膜，导电漆膜，蒸发铝膜，PCB铜箔膜，

3.EMI涂层等物质的薄层电阻与电阻率  导电性油漆，导电性糊状物，导电性塑料，导电性橡胶，导电性薄膜，金属薄膜，

4.抗静电材料， EMI 防护材料，导电性纤维，导电性陶瓷等，

功能描述Description：

1. 四探针单电测量方法

2. 液晶显示，自动测量，自动量程，自动系数补偿.

3. 高集成电路系统、恒流输出.

4. 选配：PC软件进行数据管理和处理.

5. 提供中文或英文两种语言操作界面选择 

满足标准：

1.硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）.

2.GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》.

3.GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》.

4.GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》.

工作原理和计算公式

1.四探针法测试薄层样品方阻计算和测试原理如下：

直线四探针测试布局如图8，相邻针距分别为S1、S2、S3,根据物理基础和电学原理：

当电流通过1、4探针，2、3探针测试电压时计算如下：

四探针测试结构

当电流通过1、2探针，4、3探针测试电压时计算如下：

从以上计算公式可以看出：方阻RS只取决于R1和R2，与探针间距无关．针距相等与否对RS的结果无任何影响，本公司所生产之探针头全部采用等距，偏差微小，对测试结果更加。

仪器工作原理图

整机示意图---显示界面

开机页面

测试界面

标准电阻

  四探针探头

四探针测试平台 +探头

四探针测试仪主机组合图

测试报表样本

步骤及流程

1. 开启电源，预热5分钟.

2. 装配好探头和测试平台.

3. 设定所需参数.

4. 测量样品

5. 导出数据.

优势描述：

1. 自动量程

2. 高准确稳定性.

3. 双电组合测试方法

4. 标准电阻校准仪器

5. PC软件运行

6. 同时显示电阻、电阻率、电导率数据.

7. 最多可显示5位有效数字.

8. 中、英文界面