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GSL-PECVD-300化学气相沉积

tel: 400-6699-117 7739

沈阳科晶其他, GSL-PECVD-300化学气相沉积采用等离子体增强型化学气相沉积技术,基本温度低,沉积速率快,在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,成膜质量好,针孔较少,不易龟裂,适用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件,可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。

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技术参数

1、系统采用单室筒式结构,手动前开门;
2、真空室组件及配备零部件全部采用优质不锈钢材料制造(304),氩弧焊接,表面采用喷玻璃丸+电化学抛光钝化处理配有可视观察窗口,并带挡板,真空有效尺寸为Φ300mm×300mm;
3、极限真空度:≤6.67x10-4Pa (经烘烤除气后,采用600L/S分子泵抽气,前级采用4L/S);
系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7Pa.l/S; 系统从大气开始抽气到5.0x10-3 Pa,40分钟可达到; 停泵关机12小时后真空度:≤5 Pa;
4、采用样品在下,喷淋头在上的电容式耦合方式进气;
5、样品加热最高加热温度:500℃,温控精度:±1°C,采用控温表进行控温;
6、喷淋头尺寸:Φ90mm,喷淋头与样品之间电极间距40-100mm在线连续可调(可根据工艺调整),并带有标尺指数显示;
7、 沉积工作真空:0.133-133Pa(可根据工艺调整);
8、射频电源:频率 13.56MHz,最大功率500W,全自动匹配;
9、.气体种类(用户提供),使用质量流量控制器控制进气。

10、系统设有尾气处理系统(用户自备)。




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