技术特点
【技术特点】-- GSL-PECVD-300化学气相沉积
产品简介:GSL-PECVD-300化学气相沉积采用等离子体增强型化学气相沉积技术,基本温度低,沉积速率快,在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,成膜质量好,针孔较少,不易龟裂,适用于制备非晶硅和微晶硅薄膜太阳电池器件,可广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。
产品型号 | GSL-PECVD-300化学气相沉积 | ||
安装条件 | 本设备要求在海拔1000m以下,温度25℃±15℃,湿度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水:设备配有自循环冷却水机(加注纯净水或者去离子水) 2、电:AC380V 50Hz,必须有良好接地 3、气:设备腔室内需充注氮/氩气(纯度99.99%以上),需自备实验所需气体气瓶(自带?10mm双卡套接头)及减压阀 4、场地:设备尺寸2200×2000mm×1500mm,承重1000kg以上 5、通风装置:需要 | ||
主要特点 | 1、所需成膜温度低 2、沉积速率快,应用广泛 3、体积小,操作简便 4、采用射频为增强源易于控制 5、清理安装便捷。 6、一体化触摸屏控制 | ||
产品规格 | 整机尺寸:1200x1500x1500mm; | ||
标准配件 | 1 | 电源控制系统 | 1套 |
2 | 真空机组 | 1套 | |
3 | 真空测量 | 1套 |
【技术特点对用户带来的好处】-- GSL-PECVD-300化学气相沉积
【典型应用举例】-- GSL-PECVD-300化学气相沉积
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