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GSL-CKJS-450-B1磁控溅射

tel: 400-6699-117 7739

沈阳科晶其他, 高真空溅射可用于金属、半导体、绝缘体等多种新型薄膜材料的制备,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点,可广泛用于大专、科研院所的薄膜材料研究、制备。

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技术参数

1、主溅射室尺寸:?450×355mm筒形真空室

2、主溅射室真空度:5×10-5Pa

3、永磁靶3套,靶材尺寸φ2″,各靶射频与直流溅射兼容(其中1个靶可溅射铁磁材料),靶与样品距离90-110mm可调

4、三靶共溅,三个靶可共同折向样品中心,距离40-80mm可调

5、基片加热与水冷独立工作,加热炉可与水冷样品台可互换,加热工位最高温度 600℃±1℃

6、样品尺寸:φ1″

7、样品台可连续回转,转速5-15转/分

8、基片可加-200V负偏压

9、公转6工位样品台,可一次性安装6片φ1″基片,拆下水冷加热样品台可换上6工位样品台,其中5个工位为自然冷却工位,1个加热工位,加热工位温度 600℃±1℃




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