技术参数 | 1、极限真空度:≤6.67x10-5 Pa (经烘烤除气后); 2、系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S; 3、系统短时间暴露大气并充干燥氮气后,再开始抽气,20分钟可达到5x10-3 Pa; |
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沈阳科晶其他, 用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料的科研与小批量制备。与同类设备相比,其不仅应用广泛,且具有体积小便于操作及清理方便的优点,是一款实验室制备材料粉末的理想设备。
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