技术参数、
Specifications | |
探测材料 | Ge |
响应波长 | 800 - 1800 nm |
峰值波长 | 1550 nm (Typ.) |
响应度 | 0.85 A/W (Typ.) |
光敏面直径 | 78.5 mm2 (?10mm) |
上升/下降沿时间 (RL = 50 Ohms, 10 V) | 500 ns / 500 ns (Typ.) |
NEP, Typical (1550 nm) | 4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.) |
暗电流 (5 V) | 60 μA (Max.) |
电容(10 V) | 1800 pF (Max.) |
分流电阻 | 4000 Ohm (Typ.) |
封装形式 | TO-8 |
Max Ratings | |
最大击穿打压 | 10 V |
操作温度 | -55 to 60 °C |
存储温度 | -55 to 60 °C |
注1:典型值;RL = 50 Ω,除非另有说明
2.NEP指定在光伏模式下
订购型号:
型号: IRD-GE-10 单价:3950元/片 库存数量:5只
描述:
光谱响应范围:800-1800nm
直径:10mm;
响应度@1550nm: 0.85 A/W
2Pin脚
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