主要光电特性
表1、主要光电特性
特性参数 | 符号 | 测试条件 （除另有规定外，TA=22℃±3℃） | 参数值 | 单 位 | ||
最小值 | 最大值 | |||||
响应度（交流）（象限） | Spi | λ=1.064μm VR=135 V | 脉宽20 ns、 Pin=2 mW | 0.25 | — | A/W |
响应度（直流）（象限） | Rei | 直流、Pin=1μw | 0.30 | — | ||
响应度变化量（直流）（象限）a 响应度变化量（交流）（象限）a | ΔRei | TA=-45 ℃±2 ℃ | — | 50 | % | |
暗电流(象限) | IDi | VR=135V Pin=0μw | TA=22℃±3℃ | — | 1 | μA |
TA=70℃±3℃ | — | 10 | ||||
暗电流(环) | ID | TA=22℃±3℃ | — | 10 | ||
TA=70℃±3℃ | — | 100 | ||||
结电容（象限） | Cji | VR=135V，f=1MHz | — | 15 | pF | |
光敏面直径 | φ | 10 | 16 | mm | ||
等效噪声功率 | NEPi | λ=1.064 μm，VR=135 V ,脉宽20 ns | — | 5′10-12 | W/HZ1/2 | |
击穿电压（象限、环） | VBR | IR=10μA | 200 | — | V | |
象元间灵敏度非均匀性 | Rf | λ=1.064 μm，VR=135 V ，脉宽20 ns；Pin=2mW | — | 5 | % | |
象元内灵敏度非均匀性 | Rfn | λ=1.064 μm，VR=135 V ，脉宽20 ns；Pin=2mW | — | 5 | % | |
象元间窜扰因子 | SLi | λ=1.064 μm，VR=135 V ，脉宽20 ns；Pin=2mW | — | 5 | % |
外形结构
TO型气密性封装。外形结构见图1，外形尺寸见表1。
表1、外形尺寸
单位为毫米
尺寸符号 | φD1 | ΦD2 | ΦD3 | ΦD4 | ΦD5 | Φd | A | L1 | L2 | L3 | e |
最小值 | 30.55 | 27.80 | 3.00 | 27.915 | 22.60 | 0.98 | 7.03 | 3.02 | 1.85 | 2.70 | 18.00 |
最大值 | 30.65 | 28.00 | 3.06 | 27.94 | 23.40 | 1.02 | 7.20 | 3.10 | 1.95 | 3.00 | 18.05 |
引出端排列
器件的引出端排列见图2，引出端功能应符合表2的规定。
表2、引出端功能表
管脚 | 功能 | 电压极性 |
1 | 象限1 | 正 |
2 | 公共P极 | 负 |
3 | 象限4 | 正 |
4 | 环极 | 正 |
5 | 象限3 | 正 |
6 | 壳体 | 地 |
7 | 象限2 | 正 |
7.订购信息
型号：SIQ1000 单价：6500元/只 10mm四象限Si光电探测器
型号：SIQ1000 单价：9500元/只 16mm四象限Si光电探测器
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