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SI APD雪崩光电探测器

tel: 400-6699-117 1000

筱晓光子光学仪器组件, 圆形有源区APD芯片直径为100μm。 该装置为透明玻璃窗的密封TO52包装。其中根据定制要求,两种TO52类型可供选择......

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绝对最大额定值

符号

参数

最小值

最大值

单位

TSTG

Storage temp

-55

125

TOP

Operating temp

-40

100

Mmax

Gain (IPO=1 nA)

-200



IPEAK

Peak DC current


0.25

mA


光电参数@23℃:

符号

特性

测试条件

最小值

典型值

最大值

单位


有效区域


直径 100

um




有效区域


0.00785

mm2



ID

暗电流

M=100


0.05

0.1

nA

C

电容

M=100


0.5


pF


响应

M=100;λ=800nm

45

50


A/W

tR

上升时间

M=100;λ=905nm;RL=50?



0.18

ns


截止频率

-3dB

2



GHz

VBR

击穿电压

IR=2uA

80


160

v


温度系数

VBR随时间变化

0.35

0.45

0.55

V/K


过大噪声因素

M=100


2.2




过大噪声指数

M=100


0.2



光谱响应图(M=100):


量子效应(23℃)                          电容为反偏压(23°C)


乘积作为偏压(23°C,60℃)                暗电流为偏压(23℃,60℃)



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地址:上海

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