技术特点
【技术特点】-- Si棱镜
Si棱镜
光学级硅通常规定为具有5至40ohm-cm的电阻率,其电阻率比大多数半导体的都高。 更高的电阻率材料可客户定制,特别是对于TeraHertz应用。通常的材料为CZ,其在9μm具有Si-O吸收带,因此如果在3至5μm光谱带中使用该窗口,则此性质不重要。 如果需要FZ,可以提供没有这种吸收的浮区材料。
硅主要用作3至5um波段的光学窗口并用作光学滤波器的制片基底。 具有抛光面的大块硅也用作物理实验中的中子靶。
硅通过Czochralski拉伸技术(CZ)生长并且包含一些导致9um的吸收带的氧。 为了避免这种情况,硅可以通过浮区(FZ)工艺制备。 光学硅通常轻掺杂(5~40 Ohm cm),以在10um以上的波段最佳透射。 硅具有30至100um的另一通带,其仅在非常高电阻率的未补偿材料中有效。 掺杂通常是硼(p型)和磷(n型)。
【技术特点对用户带来的好处】-- Si棱镜
【典型应用举例】-- Si棱镜
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