技术特点
【技术特点】-- 大光敏面锗（Ge）光电二极管－近红外波长
大光敏面锗（Ge）光电二极管－近红外波长
Microphotons的 MP-FDG50锗光电探测器（germanium (Ge) photodiode ）是用来测量连续激光或者脉冲激光在工作波长 800 to 1800 nm的完美选择. 此探测器为TO-8 封装，便于集成到系统也便于客户单独使用。
Specifications | ||
Sensor Material | Ge | |
Wavelength Range | 800 - 1800 nm | |
Peak Wavelength | 1550 nm (Typ.) | |
Responsivity | 0.85 A/W (Typ.) | |
Active Area Diameter | 19.6 mm2 (?5 mm) | |
Rise/Fall Time (RL = 50 Ohms, 10 V) | 220 ns / 220 ns (Typ.) | |
NEP, Typical (1550 nm) | 4.0 x 10-12 W/Hz1/2 (Typ.) | |
Dark Current (5 V) | 60 μA (Max.) | |
Capacitance (10 V) | 1800 pF (Max.) | |
Shunt Resistance | 4000 Ohm (Typ.) | |
Package | TO-8 |
Max Ratings | ||
Max Bias (Reverse) Voltage | 10 V | |
Operating Temperature | -55 to 60 °C | |
Storage Temperature | -55 to 60 °C |
【技术特点对用户带来的好处】-- 大光敏面锗（Ge）光电二极管－近红外波长
【典型应用举例】-- 大光敏面锗（Ge）光电二极管－近红外波长
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