光刻胶

 
光刻胶的主要技术参数

1. 灵敏度（Sensitivity）
   灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm²。

2．分辨率（resolution）
    区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。
    光刻胶的分辨率是一个综合指标。影响该指标的因素通常有如下3个方面：
    （1）曝光系统的分辨率。
    （2）光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。
    （3）前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。

3. 对比度（Contrast）
    对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好，越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。

4. 粘滞性/黏度 （Viscosity）
    衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。

5. 抗蚀性（Anti-etching）
    光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。

6. 工艺宽容度（Process latitude）
    光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对最后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的最佳的工艺条件，当实际工艺条件偏离最佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小，即有较大的工艺宽容度。 这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。