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扫描探针光刻系统(SPL)

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Nano analytik其他包装业专用, Nano analytik公司成立于2010年4月,技术源自德国伊尔梅瑙科技大学,公司的核心竞争力在于传感器、微系统和控......

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技术特点
【技术特点】-- 扫描探针光刻系统(SPL)

Nano analytik公司成立于2010年4月,技术源自德国伊尔梅瑙科技大学,公司的核心竞争力在于传感器、微系统和控制技术,公司宗旨是让纳米分析技术简单化,在保证科研严谨性的同时提高科研效率。


Nano analytik研发了一款基于新型扫描探针的高性能光刻系统。可在大气环境下,高经济效益、快速直写10纳米以下结构和制备纳米级器件。该系统的闭环回路可实现使用同一扫描探针对纳米结构的成像、定位、检测和操纵。


扫描探针光刻(SPL)
扫描探针光刻系统(SPL)

技术特点:

  • 场发射低能电子束

  • 大幅降低电子束背底散射

  • 几乎消除电子束临近效应

  • 无需调制电子束聚光

  • 10 nm 以下光刻精度

  • 接近原子级分辨的套刻精度

  • 线写速度高达 300 μm/s

  • 大气环境下可实现正负光刻

  • 正光刻流程无需显影步骤

  • 大范围分步重复工艺

  • Mix & Match 混合光刻模式

  • 闭环系统:光刻成像同一针尖反复交替进行

  • 多针尖并联阵列提高效率


产品规格


光刻模式正光刻、负光刻
工作环境大气、真空
最小线宽5 nm (验收指标)
直写速度300 μm/s
套刻精度< 7 nm
拼接精度< 10 nm
最大光刻区域200 μm x 200 μm
最大样品尺寸直径:150 mm (6 英寸)
占用空间80 cm x 100 cm x 190 cm

针尖光刻针尖光刻的扫描探针悬臂



探针扫描头配置


工作模式顶部XYZ扫描头
扫描范围(XYZ) 10 μm × 10 μm × 5 μm 可扩展至 200 μm × 200 μm
定位精度(XYZ)0.01 nm;0.01 nm;0.01 nm
传感器压阻闭环传感
输入/输出频道3

扫描探针光刻(SPL)组成



样品台配置

工作模式底部XY定位器
运动范围(XY)18 mm × 18 mm 可扩展 150 mm × 150 mm
最大运动速度20 mm/s
运动精度7 nm
运动重复性80 nm (每运动100 μm)



电子配置

分辨率 振幅/相位16-bit
反馈控制平台实时FPGA
带宽8 MHz
计算机接口USB, 以太网可选
传感器调节0-4 V可编程电桥


软件

实时修正线, 面, 多项式
轮廓线测量YES
粗糙度测量YES
对比度/亮度/色彩调节YES
3D 图像YES
线平均YES
图像输出bmp, png, jpg格式
原始数据输出txt格式
图像后续处理软件Gwyddion, WSxM

曝光量(40-100, 80-200μc/cm)对半节距的影响

半节距7.5nm的双线结构(单线宽小于5nm)

间距调制,线宽50nm



光刻表征步骤交替完成

正负光刻同步完成



【技术特点对用户带来的好处】-- 扫描探针光刻系统(SPL)


【典型应用举例】-- 扫描探针光刻系统(SPL)


厂家资料

地址:北京海淀区学院路30号 科大天工大厦B座1408室

电话:400-6699-117 转1000

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