参考招标参数:
一、设备的主要用途、功能及特点
半导体的掺杂浓度、缺陷能级、界面态(俘获界面)是研究半导体性质的重要手段。深能级瞬态谱综合了半导体P-N结、金属-半接触结构肖特基结的瞬态电容(△C~t)技术和深能级瞬态谱(DLTS)的发射率窗技术,是一种具有很高检测灵敏度的实验方法,能检测半导体中微量杂质、缺陷的深能级及界面态。通过对样品的温度扫描,可以给出表征半导体禁带范围内的杂质、缺陷深能级及界面态随温度(即能量)分布的DLTS谱。
二、技术参数及指标(带*者为必须具备指标)
*1. 操作模式
电容模式-DLTS(C-DLTS),恒电容DLTS(CC-DLTS),电流DLTS(I-DLTS),双关DLTS(DD-DLTS),Zerbst-DLTS,光激发DLTS(O-DLTS),FET分析模式,MOS分析模式,ITS(等温瞬态光谱仪),缺陷分析,俘获截面测量,I/V, I/V(T)理查森Plot分析,C/V, C/V(T)。
*2. 分辨率优于1×108 atoms/cm3。
3. 脉冲发生器
3.1 电压范围:±100V;
3.2 电压分辨率:1.5mV ( 0.3mV with ±20V);
3.3 zei大电流:>±15mA;
*3.4 zei短脉冲宽度:20 ns;
*3.5 zei长脉冲宽度:>1000s。
3.6 增益设置的电脑控制,自动增益设置,范围1-1028。
4. 电容表
4.1 HF信号:100mV@1MHz(20mV optional);
*4.2 范围[pF] :1,30,300,3300(自动或手动);
4.3 电容补偿:0.1-3300 pF(自动或手动);
*4.4 灵敏度:0.01 fF。
5. 电压测量(可提供偏压补偿)
5.1 范围:±10V;
*5.2 灵敏度:<1μV;
5.3 输入电阻:106Ohm;
6. 电流测试(可提供漏电保护)
*6.1 范围:从±1μA 到±10mA;
*6.2 灵敏度:<1pA;
7. 瞬态记录(包含可调节抗失真滤膜)
*7.1 样品速率:2μs到2000s;
7.2 样品数量:16-64000;
*7.3 温度范围:77K-600K;
*7.4 温度扫描方式:使用28个不同的相关功能(软件)通过一次温度扫描,给出28个温度扫描信号。通过一次温度扫描得出缺陷浓度随温度变化曲线。
8. 计算机系统
满足设备正常运转需要,具体配置不低于CPU:四核 2.0GHz; 内存:4G;硬盘:1TB以上;光驱:DVD RW,20英寸液晶显示器
9. 技术服务
9.1 设备安装、调试和验收
9.1.1 卖方应在合同生效后的1个月内到用户实验室现场进行预安装检测,用标准样品校准,并向买方提出详细的安装要求和提供技术咨询。
9.1.2 仪器到达用户所在地后,在接到用户通知后2周内进行安装调试,直至通过验收。
9.2 技术培训:卖方设备安装调试完成后,卖方应对用户技术人员进行调试、操作、仪器维护、故障排除等方面的现场培训,时间为5个工作日。
9.3 服务:要求供货厂家在中国至少设立固定维修站,并配备专业维修工程师,能提供及时有效的售后服务。
9.4 保修期:卖方提供1年的免费保修, 保修期自仪器验收签字之日起计算。
9.5 维修响应时间:卖方应在24小时内对用户的服务要求给以响应;需要在现场解决问题的,应在5个工作日内到达仪器现场。
9.6 软、硬件升级:卖方应永久免费向用户提供仪器软件升级,与之相关的硬件升级收取成本费。
9.7卖方提供硬件、软件以及安装教学服务的内容,能够满足仪器到现场安装、调试、运行的要求,除买方必须提供的电源及安装桌具外不需要用户在另行购买任何辅助配件。
除厂家/中国总经销商外,我们找不到 德国 Phystech FT1030深能级瞬态谱仪DLTS 的一般经销商信息,有可能该产品在中国没有其它经销商。
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