【技术特点】-- PiLas皮秒半导体激光器

PiLas皮秒半导体激光器

Pilas系列皮秒半导体激光器脉宽可低至18ps（FWHM），波长范围覆盖375nm~1550nm，峰值功率范围从20mW至高于1000mW（具体参数取决于所用的LD）。电触发信号和光脉冲之前的抖动约3~4ps。特殊波长和参数可根据客户要求定制。

两种版本可选。

1MHz PiLas（重复频率从单脉冲到1MHz）

?   PiLas数字控制系统（EIG1000D）

?   激光头PILxxxG（375nm～1550nm）

高速PiLas（通常固定100MHz，其他重复频率可定制）

?   PiLas 100 MHz 控制系统 (EIG1000AF)

?   激光头(PILxxxF)，波长400nm～1550nm（其他波长按要求）

选件

特点和应用范围

技术背景

       下图描述了电脉冲泵浦下产生的光脉冲。

输出光装置

控制器

控制器尺寸：长×宽×高＝326 mm x 235mm x 88mm 

图示：

PIL063F光脉冲（使用UltraFast 35探测）

PIL082Q光脉冲（使用滨松条纹相机拍摄）

PIL078G光脉冲（使用UltraFast20探测）

【技术特点对用户带来的好处】-- PiLas皮秒半导体激光器

【典型应用举例】-- PiLas皮秒半导体激光器