在半导体生产工艺中，光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节，涂胶质量直接影响到光刻的质量，涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的，而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的，这造成光刻胶和硅片的黏合性较差，尤其是正胶，显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处，容易造成漂条、浮胶等，导致光刻图形转移的失败，同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。

产品技术参数：

电源电压：AC 380V±10%/50Hz±2%
输入功率：3000W
控温范围：室温+10℃-250℃
温度分辨率：0.1℃
温度波动度：±0.5℃
达到真空度：133Pa
容积：90L
工作室尺寸（mm）：450*450*450
外形尺寸（mm）：615*590*1470
载物托架：2块
时间单位：分钟

真空泵：国内品牌上海慕鸿型号：DM-4，旋片式油泵。