在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这造成光刻胶和硅片的黏合性较差,尤其是正胶,显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处,容易造成漂条、浮胶等,导致光刻图形转移的失败,同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。
产品技术参数:
电源电压:AC 380V±10%/50Hz±2%
输入功率:3000W
控温范围:室温+10℃-250℃
温度分辨率:0.1℃
温度波动度:±0.5℃
达到真空度:133Pa
容积:90L
工作室尺寸(mm):450*450*450
外形尺寸(mm):615*590*1470
载物托架:2块
时间单位:分钟
真空泵:国内品牌上海慕鸿型号:DM-4,旋片式油泵。
干燥设备/烘箱/干燥箱
售后服务
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