SB100A-2 四探针金属/半导体电阻率测量仪

     仪器简介：由于金属块体材料的电阻和金属薄膜的电阻很低，它们的测量采用四端接线法。为了满足实际的需要，本仪器采用四探针法原理来实现对不同金属、半导体、导电高分子材料的电阻率的测量。
 用途：
 （1） 金属、半导体、导电高分子薄膜（块体）电阻率的测量；
 （2） 金属薄膜材料电阻率的测量（zei大厚度0.2毫米）；金属块体材料电阻率的测量（zei大厚度6毫米）
 仪器组成：
 1、 四探针组件
 由具有引线的四根探针组成。
 2、 SB118精密直流电流源
 输出电流10-6~0.2安培范围内可调。
 3、 直流数字电压表
 直流数字电压表是具有6位半字长、0.1为微伏电压分辨率的带单片微机处理技术的高精度电子测量仪器。
 技术参数：由于金属块体材料的电阻和金属薄膜的电阻很低，它们的测量采用四端接线法。为了满足实际的需要，本仪器采用四探针法原理来实现对不同金属、半导体、导电高分子材料的电阻率的测量。
 用途：
 （1） 金属、半导体、导电高分子薄膜（块体）电阻率的测量；
 （2） 金属薄膜材料电阻率的测量（zei大厚度0.2毫米）；金属块体材料电阻率的测量（zei大厚度6毫米）
 仪器组成：
 1、 四探针组件
 由具有引线的四根探针组成。
 2、 SB118精密直流电流源
 输出电流10-6~0.2安培范围内可调。
 3、 直流数字电压表
 直流数字电压表是具有6位半字长、0.1为微伏电压分辨率的带单片微机处理技术的高精度电子测量仪器。
 
 主要特点：由于金属块体材料的电阻和金属薄膜的电阻很低，它们的测量采用四端接线法。为了满足实际的需要，本仪器采用四探针法原理来实现对不同金属、半导体、导电高分子材料的电阻率的测量。
 用途：
 （1） 金属、半导体、导电高分子薄膜（块体）电阻率的测量；
 （2） 金属薄膜材料电阻率的测量（zei大厚度0.2毫米）；金属块体材料电阻率的测量（zei大厚度6毫米）
 仪器组成：
 1、 四探针组件
 由具有引线的四根探针组成。
 2、 SB118精密直流电流源
 输出电流10-6~0.2安培范围内可调。
 3、 直流数字电压表
 直流数字电压表是具有6位半字长、0.1为微伏电压分辨率的带单片微机处理技术的高精度电子测量仪器。

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     仪器简介：由于金属块体材料的电阻和金属薄膜的电阻很低，它们的测量采用四端接线法。为了满足实际的需要，本仪器采用四探针法原理来实现对不同金属、半导体、导电高分子材料的电阻率的测量。
 用途：
 （1） 金属、半导体、导电高分子薄膜（块体）电阻率的测量；
 （2） 金属薄膜材料电阻率的测量（zei大厚度0.2毫米）；金属块体材料电阻率的测量（zei大厚度6毫米）
 仪器组成：
 1、 四探针组件
 由具有引线的四根探针组成。
 2、 SB118精密直流电流源
 输出电流10-6~0.2安培范围内可调。
 3、 直流数字电压表
 直流数字电压表是具有6位半字长、0.1为微伏电压分辨率的带单片微机处理技术的高精度电子测量仪器。
 技术参数：由于金属块体材料的电阻和金属薄膜的电阻很低，它们的测量采用四端接线法。为了满足实际的需要，本仪器采用四探针法原理来实现对不同金属、半导体、导电高分子材料的电阻率的测量。
 用途：
 （1） 金属、半导体、导电高分子薄膜（块体）电阻率的测量；
 （2） 金属薄膜材料电阻率的测量（zei大厚度0.2毫米）；金属块体材料电阻率的测量（zei大厚度6毫米）
 仪器组成：
 1、 四探针组件
 由具有引线的四根探针组成。
 2、 SB118精密直流电流源
 输出电流10-6~0.2安培范围内可调。
 3、 直流数字电压表
 直流数字电压表是具有6位半字长、0.1为微伏电压分辨率的带单片微机处理技术的高精度电子测量仪器。
 
 主要特点：由于金属块体材料的电阻和金属薄膜的电阻很低，它们的测量采用四端接线法。为了满足实际的需要，本仪器采用四探针法原理来实现对不同金属、半导体、导电高分子材料的电阻率的测量。
 用途：
 （1） 金属、半导体、导电高分子薄膜（块体）电阻率的测量；
 （2） 金属薄膜材料电阻率的测量（zei大厚度0.2毫米）；金属块体材料电阻率的测量（zei大厚度6毫米）
 仪器组成：
 1、 四探针组件
 由具有引线的四根探针组成。
 2、 SB118精密直流电流源
 输出电流10-6~0.2安培范围内可调。
 3、 直流数字电压表
 直流数字电压表是具有6位半字长、0.1为微伏电压分辨率的带单片微机处理技术的高精度电子测量仪器。

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