特征
zei大可处理6英寸晶片
搬送室设计允许使用氯系气体
可调节晶片温度(氦气冷却)
zl龙卷风ICP电极
多方排气系统可改善均匀度和效能
可循环进行金属刻蚀
工艺配方储存及数据资料记录
小体积及全功能设计
尺寸
本体: 1000(W) x 1100(D) x 1604(H) mm
真空泵: 700(W) x 480(D) x 513(H) mm
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经销商
除厂家/中国总经销商外,我们找不到 莎姆克RIE-200iP ICP Plasma Etching Systems (ICP-RIE)高密度等离子刻蚀机 的一般经销商信息,有可能该产品在中国没有其它经销商。
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