薄膜热导率测试系统测试实例
常温下不同电流时,SiO2薄膜热导率测试结果 | 相同温度下,不同厚度GeTe/Bi2Te3 超晶格热导率测试结果 |
薄膜热导率测试系统技术参数
型号 | TCT-RT |
温度范围 | RT |
测试对象 | 半导体薄膜、导电薄膜、绝缘薄膜等 |
热导率测量范围 | 0.1-10W/(m·K)(可扩展至2000W/(m·K)) |
测试精度 (热导率) | ±5%(在Si上测量),±10%(其他) |
适合氛围 | 真空 |
样品尺寸 | 长 x 宽:(5-10)x(5-10),单位mm,薄膜厚度≥100nm |
其他注意事项 | 测量导电薄膜时,需要沉积绝缘层(推荐:Sio2),薄膜表面要非常光滑,确保绝缘层不漏电;衬底热导率要远大于薄膜热导率,推荐使用Si、AIN等高热导衬底。 |
主机尺寸 | 710 x 600 x 490,单位mm |
重量 | 80kg |
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