基本配置及参数:
编号 | 名称 | 规格 | 件数 |
1 | 导轨主体 | 长1m,硬铝型材 | 1 |
2 | 808半导体激光器 | 连续输出功率:500mW,中心波长:808±10nm, 偏振态:TE | 1 |
3 | 氦氖激光器 | 632.8nm,功率≤1mW | 1 |
4 | 红外显示卡 | 可观察0.7~1.6μm的近红外光 | 1 |
5 | KTP晶体 | 透过波段:0.35~4.5μm,电光系数:γ33=36Pm/V | 1 |
6 | Nd:YVO4晶体 | 掺Nd3+浓度0.1~3.0 atm%,平面度<λ/10@632.8nm 镀膜:AR@1064nm,R<0.1%,HT@808nm,T>90% | 1 |
7 | 光学元件 | 输出镜(R=50mm),滤光片 | 各1 |
8 | 光功率测试仪 | 2μW、20μW、200μW、2mW、 20mW、200mW六档功率范围3位半数字显示器 | 1 |
9 | 其他 | 光源架,四维调节架,二维调节架,光靶 |
- 基本配置及参数
编号 | 名称 | 参数 |
1 | 光学实验导轨 | 长1m,带标尺;燕尾设计,铝合金材质 |
2 | 半导体激光器 | 中心波长8088nm,输出功率>2W,功率可调,带TIEC制冷,温控精度0.5℃;电源:带功率电流可调功能,电流0-3A调节,含温控仪,可控制808激光器工作状态,控制激光器的输出状态;。 |
3 | 准直镜 | 直径:20mm,K9光学玻璃;二维可调,调整范围:±2.5mm; |
4 | Nd:YAG晶体 | 后表面镀膜AR@808nm & HR@1064nm;前表面镀膜AR@1064nm;晶体Φ4*2mm,带精密机械调整架,角度二维可调直线二维可调,角度精度±4′,分辨率0.005mm,横向偏差1′,纵向偏差1′。 |
5 | KTP晶体 | 尺寸3*3*5mm 带五维可调调整架。360度可调,zei小刻度1度,镀膜。 |
6 | 输出镜 | 直径20mm ,其中一种1064nm半反镜透光率约5%,曲率半径250mm。一种064nm全反镜,反射率>99.8%,反射镜的曲率半径为2m;配精密机械调整架:角度精度±4′,分辨率0.005mm,调节机构保证等双轴等高,横向偏差1′,纵向偏差1′; |
7 | 光功率指示仪 | 3位半数字显示。量程:含200uW、2mW、20mW、200mW、2W可调挡,测量精度0.1W。含探头,探测器有效面积:Φ10mm;光谱响应范围:250nm~2500nm(响应均匀性优于3%); |
8 | 被动调Q晶体 | 为Cr4+:YAG晶体,直径10mm |
9 | 其他 | 光源架,调整架,准直激光器,小孔屏,滤光片,护目镜,示波器等 |