功率场效应晶体管（VF）又称 VMOS场效应管。在实际应用中，它有着比 晶体管和 MOS场效应管更好的特性。即是在 大功率范围应用的场效应晶体管，它也称作功率 MOSFET，其优点表现在以下几个方面：

　　1. 具有较高的 开关速度。

　　2. 具有较宽的安全工作区而 不会产生热点，并且具有正的 电阻温度系数，因此适合进行 并联使用。

　　3. 具有较高的 可靠性。

　　4. 具有较强的 过载能力。短时过载能力 通常额定值的4倍。

　　5. 具有较高的 开启电压，即是 阈值电压，可达2~6V(一般在1.5V~5V之间）。当环境 噪声较高时，可以选 用 阈值电压较高的管子，以提高 抗干扰能力；反之，当噪声较低时，选用阈值电压较低的管子，以降低所需的输入驱动信号电压。给电路设计带来了极大地方便。

　　6. 由于它是 电压控制器件，具有很高的 输入阻抗，因此其驱动功率很小，对驱动电路要求较低。

　　由于这些明显的优点，功率场效应晶体管在电机调速，开关电源等各种领域应用的非常广泛。