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原子层沉积

2020.3.15

原子层沉积(ALD)是一种真正的"纳米"技术,以精确控制的方式沉积几个纳米的超薄薄膜。 原子层沉积的两个限定性特征--自约束的原子逐层生长和高度保形镀膜--给半导体工程,微机电系统和其他纳米技术应用提供了许多好处。

原子层沉积的优点

因为原子层沉积工艺在每个周期内精确地沉积一个原子层,所以能够在纳米尺度上对沉积工艺进行完全控制

即使在非常高的纵横比和复杂结构的条件下,保形镀膜也能够实现

可实现无针孔和颗粒的沉积

很多种类的材料都可以采用原子层沉积:

氧化物:包括HfO2, HfSiO, Al2O3, Ta2O5, TiO2, La2O3, SiO2, ZnO

氮化物,包括TiN, TaN, AlN, SiNx, HfN

金属,包括Ru, Cu, W, Mo

原子层沉积周期

1. TMA源
1. TMA源

远程等离子体原子层沉积的优点

除了具有热原子层沉积的优点,远程等离子体允许更广泛地选择用作源的化学品,同时还提高薄膜质量:

等离子体能够实现低温的原子层沉积工艺,远程源能维持低的等离子体损伤

采用氢气等离子的更有效的金属源,而不是复杂的加热的源

消除了水作为一种源的需要,减少了每个原子层沉积周期之间的清洗次数--尤其是在低温条件下。

通过进一步的去除杂质来获得更高质量的薄膜,从而获得更低的电阻率、更高的密度、等。

能够控制化学计量

等离子体表面处理

对于某些材料可以采用等离子体清洗反应室

2. TMA清洗
2. TMA清洗

原子层沉积的应用

包括:

高K值的栅极氧化物

储能电容器介质

用于有机发光二极管和聚合物的无针孔的钝化层

单晶硅太阳能电池的钝化

用于Cu互联的高纵横比的扩散阻挡层

黏合层

有机半导体

用于微流体和微机电系统应用的高保形镀膜

其他纳米技术和纳米电子应用

纳米孔结构的镀膜

燃料电池,如催化层的单种技术镀膜

生物微机电系统

3. O2等离子体
3. O2等离子体

4.短时间的后期O2等离子体清洗
4.短时间的后期O2等离子体清洗

牛津仪器的原子层沉积工具


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