利用ICP-MS对半导体级盐酸中的杂质进行分析
在半导体设备的生产过程中，许多流程中都要用到各种酸类试剂。其中zui重要的是盐酸（HCl），其主要用途是与过氧化氢和水配制成混合物用来清洁硅晶片的表面。由于半导体设备尺寸不断缩小，其生产中使用的试剂纯度变得越来越重要，这是因为即使是少量杂质也会导致设备的失效。国际SEMI 标准规定的是金属杂质的最大浓度（SEMI 标准C27-07081 用于盐酸），而半导体设备的生产商对杂质浓度的要求往往更加严格，这样就给试剂供应商带来了更大的挑战。其结果是，分析仪器也必须能够对更低浓度的杂质成分精确检测。
电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）具备精确测定纳克/ 升（ng/L，PPT）甚至更低浓度元素含量的能力，是zui适合测量痕量及超痕量金属的技术。然而，常规的测定条件下，氩、氧、氢离子会与酸基体相结合，对待测元素产生多原子离子干扰。
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