高性能密封氘氚中子管研制
采用磁控溅射法制备高纯钛膜,通过光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、俄歇电子能谱(AES)等测试分析方法,对微观形貌、薄膜纯度、结合强度、膜厚及均匀性等进行了分析表征,并利用高真空微压吸氢试验系统对钛膜的吸氘特性、真空除气与活化工艺等进行了研究。结果表明:磁控溅射法制备的钛膜具有薄膜致密、纯度高、均匀性好、附着力强等优点。钛膜在高真空环境下逐步升温至550℃彻底除气,并经过适当吸-放氘活化处理后,具有很好的吸氘活性(D/Ti约为2.0)且薄 。
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