助力半导体工业 日本电子推出高通量分析电镜JEM-ACE200F
分析测试百科网讯 近日，日本电子总裁Gon-emon Kurihara对外宣布，日本电子将在2018年12月发布一款新型高通量分析电子显微镜—JEM-ACE200F，公司预设销售数量为30台/年。
产品开发背景
随着半导体工业中元器件进一步小型化，透射电镜已经成为元器件表征多种手段中必不可少的工具之一。这些工具，研究人员可以进行形态学观察、临界尺寸测量、元素分析、局部应变分析和掺杂浓度测量，尤其是半导体工业对形态观察、临界尺寸测量、元素分析等方面的数据采集提出了快速、稳定、高分辨率的要求，以便将这些数据采集反馈至制造过程。
针对以上需求，日本电子开发了一种全新的高通量TEM，即JEM-ACE200F。JEM-ACE200F可通过创建无需操作人员看管实际操作工作流程系统实现样品自动检测和数据自动生成。由于集成了JEM-ARM200F和FE-TEM JEM-F 200技术，JEM-ACE200F在性能和稳定性方面表现优秀，同时，其外观方面也进行了更为精致的设计。
新型高通量分析电子显微镜——JEM-ACE200F
主要特点：
高通量
与自动显微镜调谐功能(TEM/STEM)相结合的快速数据采集。
缩短抽真空时间，从插入样品杆到开始观察只需30秒。
友好的用户界面
基于日常显微镜操作的精密GUI。
所有的操作都可以通过鼠标操作来完成。
易于编程和更改流程方案
工作流程方案可以用直观的工具进行编程。
工作流程可以使用多种标准化的编程语言进行灵活涉及。
环保设计
采用高度环保的外壳。
远程操作。
主要参数
| TEM分辨率 ( 200 kV) | Point image 0.21 nm Lattice image 0.10 nm Information limit 0.11 nm |
STEM分辨率(at 200 kV) | STEM DF image 0.136 nm STEM BF image 0.136 nm |
电子枪 | Schottky field emission gun, ZrO/W(100) emitter |
加速电压 | 60 to 200 kV (80, 200 kV; standard, Other voltages; option) |
样品移动 | X, Y: ± 1.0 mm Z: ± 0.2 mm |
样品倾斜角度 | TX/TY (with Specimen Tilting; Holder)±20°/±25° TX (with Specimen High Tilting Holder)±80° |
可选 | Energy dispersive X-ray spectrometer(EDS), Electron energy-loss spectrometer (EELS), Multi-specimen auto transfersystem, Integrated TEM control system (Automation Center), TEM/STEM tomography system |
400-6699-117 转 6205
