黄铜矿相铜铟镓硒（CuInxGa1-xSe2, CIGS）多晶化合物半导体以其极高的光吸收系数、可调的禁带宽度和低廉的制备成本作为薄膜型太阳电池的吸收层备受光伏研究工作者的青睐。但是当前研究大部分采用真空方法作为薄膜制备的主要手段，该类方法虽然可以使太阳电池获得较高的光电转换效率，但较高的生产成本依然是制约其大面积用于商业生产的瓶颈。本文从非真空低成本刮刀涂布刷镀法制备工艺入手，分别采用扫描电子显微镜、EDS能谱仪、俄歇电子能谱仪、X射线衍射、紫外可见光分光光度仪和四点探针电阻测试仪研究了CIGS薄膜的形貌、成分、结构和光电性能。本文采用硝酸铜、硝酸铟、硝酸镓和四氯化硒作为提供铜、铟、镓和硒四种元素的原料，辅以乙醇、松油醇和乙基纤维素作为粘合剂，通过调节各种原料的配比来制备不同元素配比的CIGS化合物薄膜。在研究中发现，有机物的碳残留现象非常严重，适当延长保温时间可以减轻此现象。在制备得到的薄膜中，高温长时间退火条件下，硒元素的损失非常严重，可以通过在墨水的配比中增大四氯化硒的比重来调节。采用刷镀的方法制备了不同配比铜缺乏的CIGS薄膜，通过对其结构和性能的表征得到Cu/(In+Ga)=0.8时的薄膜具有最佳的性能。此结论与采用真空共蒸发法制备最高光电转换效率的CIGS吸收层电池的铜缺乏程度相同。说明刷镀法在替代真空法制备太阳电池上有一定的可行性。本文在刷涂法的基础上利用多层涂布技术制备出了在薄膜深度方向上具有镓梯度分布特性的CIGS吸收层。