铜上溅射沉积铀薄膜AES研究
在俄歇电子能谱仪超高真空室内,采用离子束溅射沉积方法在多晶Cu上沉积了铀薄膜,采用俄歇电子能谱技术(AES)研究铀薄膜的生长方式,铀、铜的相互作用及退火引起U膜成分结构变化。沉积初期观察到铀与铜发生相互作用,随着铀薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇跃迁峰强度值变化说明铀薄膜为层状+岛状生长。退火促进了界面扩散,随着温度的升高,铀与铜发生了相互作用和扩散,温度继续升高,铀与碳形成了铀碳化物。
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在俄歇电子能谱仪超高真空室内,采用离子束溅射沉积方法在多晶Cu上沉积了铀薄膜,采用俄歇电子能谱技术(AES)研究铀薄膜的生长方式,铀、铜的相互作用及退火引起U膜成分结构变化。沉积初期观察到铀与铜发生相互作用,随着铀薄膜厚度的增加,UOPV/CuLMM俄歇跃迁峰强度值变化说明铀薄膜为层状+岛状生长。退火促进了界面扩散,随着温度的升高,铀与铜发生了相互作用和扩散,温度继续升高,铀与碳形成了铀碳化物。
